| 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法; 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 | |
| 金兰; 曲胜春; 徐波 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法,包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层,用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷,形成原始衬底；步骤3：将具有不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板分别覆盖在原始衬底的平滑层上；步骤4：在室温下,将磁性离子Mn注入到平滑层内；步骤5：利用饱和的氢氧化钠溶液清洗掉阳极氧化铝模板；步骤6：退火,完成图形化衬底的制备。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Application Date | 2011-12-29 |
| Patent Number | CN102169820A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110009971.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23316 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 金兰,曲胜春,徐波. 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法, 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法. CN102169820A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底（363KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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