| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 | |
| 毕杨 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王晓亮 研究员 |
| 2012 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | 氮化镓 铟铝氮 二维电子气 高电子迁移率晶体管 短沟道效应 |
| Subject Area | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| Date Available | 2012-05-30 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22937 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 毕杨. GaN 基 HEMT材料的新结构研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2012. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GaN基HEMT材料的新结构研究.pdf（3974KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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