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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, Defeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Kang, He;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Hong;  Deng, Qingwen;  Bi, Yang;  Zhang, Jingwen;  Hou, Xun
Adobe PDF(1409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：591/150  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding JQ (Ding, Jieqin);  Wang XL (Wang, Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao, Hongling);  Wang CM (Wang, Cuimei);  Chen H (Chen, Hong);  Bi Y (Bi, Yang);  Deng QW (Deng, Qinwen);  Zhang JW (Zhang, Jingwen);  Hou X (Hou, Xun)
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/276  |  提交时间：2013/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding, Jieqin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Chen, Hong;  Bi, Yang;  Deng, Qinwen;  Zhang, Jingwen;  Hou, Xun
Adobe PDF(1209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：841/186  |  提交时间：2013/04/19
GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  毕杨
Adobe PDF(3974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1564/184  |  提交时间：2012/05/30
氮化镓  铟铝氮  二维电子气  高电子迁移率晶体管  短沟道效应  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1114/370  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1318/296  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi Y;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Peng EC;  Lin DF;  Feng C;  Jiang LJ;  Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1262/270  |  提交时间：2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Hou QF;  Bi Y;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(1060Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2207/481  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin DF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Jiang LJ;  Feng C;  Chen H;  Hou QF;  Deng QW;  Bi Y;  Kang H;  Lin, DF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dflin@semi.ac.cn
Adobe PDF(1294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1594/389  |  提交时间：2011/09/14
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2048/447  |  提交时间：2012/08/29