GeSn合金的外延生长方法 | |
成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种GeSn合金的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中;步骤2:将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上,对真空腔抽真空,对衬底加热;步骤3:对Sn固体金属加热,使Sn固体金属熔化,蒸发产生Sn的原子,打开挡板,使Sn原子到达衬底表面;步骤4:向分子束外延源炉的真空腔内通入含有Ge的化合物气体,使Ge原子淀积到衬底表面,完成GeSn合金的外延生长。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910088391.6 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910088391.6 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22051 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 成步文,薛春来,左玉华,等. GeSn合金的外延生长方法. CN200910088391.6. |
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