| GeSn合金的外延生长方法 | |
| 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种GeSn合金的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中；步骤2：将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上，对真空腔抽真空，对衬底加热；步骤3：对Sn固体金属加热，使Sn固体金属熔化，蒸发产生Sn的原子，打开挡板，使Sn原子到达衬底表面；步骤4：向分子束外延源炉的真空腔内通入含有Ge的化合物气体，使Ge原子淀积到衬底表面，完成GeSn合金的外延生长。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910088391.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910088391.6 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22051 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 成步文,薛春来,左玉华,等. GeSn合金的外延生长方法. CN200910088391.6. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910088391.6.pdf（269KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment