SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法
陈少武; 程勇鹏; 任光辉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上旋涂一层光刻胶,利用光刻技术形成第一掩膜图形,该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形;步骤2:利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉,刻蚀深度小于衬底的厚度,在掩膜图形两侧形成平板区;步骤3:在衬底上再旋涂一层光刻胶,利用光刻技术在掩膜图形的矩形区及其两侧的平板区形成第二掩膜图形;步骤4:利用刻蚀技术将掩膜图形的锥形部分的两侧平板区刻蚀掉;步骤5:去掉第一及第二掩膜图形,完成器件的制作。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910093176.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910093176.5
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22025
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
陈少武,程勇鹏,任光辉. 脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法. CN200910093176.5.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
CN200910093176.5.pdf(312KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈少武]'s Articles
[程勇鹏]'s Articles
[任光辉]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[陈少武]'s Articles
[程勇鹏]'s Articles
[任光辉]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[陈少武]'s Articles
[程勇鹏]'s Articles
[任光辉]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.