SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法
陈少武; 程勇鹏; 任光辉; 樊中朝
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法,包括:在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层;通过光刻工艺,在二氧化硅层上面形成掩膜图形,该掩膜图形的一端为矩形,另一端为锥形通过刻蚀工艺,将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀,刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域;去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形,形成样品;对上述的样品进行氧化,将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅,氧化到预定高度,从而形成脊型波导的平板区;被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅,形成脊型波导的内脊区;而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅,形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构,完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910242349.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910242349.5
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21993
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
陈少武,程勇鹏,任光辉,等. SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法. CN200910242349.5.
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