| SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 | |
陈少武; 程勇鹏; 任光辉 ; 樊中朝
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910242349.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910242349.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21993 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈少武,程勇鹏,任光辉,等. SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法. CN200910242349.5. |
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| CN200910242349.5.pdf（395KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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