SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 | |
陈少武; 程勇鹏; 任光辉![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法,包括:在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层;通过光刻工艺,在二氧化硅层上面形成掩膜图形,该掩膜图形的一端为矩形,另一端为锥形通过刻蚀工艺,将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀,刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域;去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形,形成样品;对上述的样品进行氧化,将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅,氧化到预定高度,从而形成脊型波导的平板区;被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅,形成脊型波导的内脊区;而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅,形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构,完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910242349.5 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910242349.5 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21993 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈少武,程勇鹏,任光辉,等. SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法. CN200910242349.5. |
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