| 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 | |
| 白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一半导体衬底上生长铝层；步骤2：对铝层进行阳极氧化，形成孔洞由表面直达半导体衬底，形成多孔氧化铝膜；步骤3：在多孔氧化铝膜的表面淀积金属，在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点；步骤4：将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉，从而在半导体衬底上形成金属点阵列；步骤5：以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，去掉金属点阵列，在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183395.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183395.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21929 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 白安琪,成步文,左玉华,等. 半导体纳米柱阵列结构的制作方法. CN201010183395.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010183395.5.pdf（244KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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