SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
半导体纳米柱阵列结构的制作方法
白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;步骤4:将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉,从而在半导体衬底上形成金属点阵列;步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀,去掉金属点阵列,在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010183395.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010183395.5
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21929
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
白安琪,成步文,左玉华,等. 半导体纳米柱阵列结构的制作方法. CN201010183395.5.
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