半导体纳米柱阵列结构的制作方法 | |
白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;步骤4:将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉,从而在半导体衬底上形成金属点阵列;步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀,去掉金属点阵列,在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN201010183395.5 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010183395.5 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21929 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 白安琪,成步文,左玉华,等. 半导体纳米柱阵列结构的制作方法. CN201010183395.5. |
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