| GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究 | |
金兰
| |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 梁骏吾 ; 曲胜春 |
| 2011 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2011-06-12 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20792 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金兰. GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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