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基于 InAsSb 体材料的高工作温度红外探测器研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  贾春阳
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锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  冯银红
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 学位论文
作者:  杨成奥
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  季祥海
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Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积  
反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  黄文军
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Inas/gasb二类超晶格  反转型量子阱结构  电子迁移率  异质结光电晶体管  双色  
2μm波段GaSb基量子阱大功率激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  廖永平
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  杜文娜
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Inassb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积  
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李俊斌
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Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流  
GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  程雨
Adobe PDF(4151Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:831/45  |  提交时间:2015/05/29
锑化镓(gasb)  化学机械抛光  二次离子质谱(sims)  Xps  表面形貌