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| 基于 InAsSb 体材料的高工作温度红外探测器研究 学位论文 工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 贾春阳 Adobe PDF(6737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:236/4  |  提交时间:2023/07/03 |
| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文 工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 冯银红 Adobe PDF(5633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:162/3  |  提交时间:2023/07/03 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 周媛 Adobe PDF(5304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:371/7  |  提交时间:2021/06/18 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 杨成奥 Adobe PDF(10494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:32/1  |  提交时间:2020/08/31 |
| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2018 作者: 季祥海 Adobe PDF(7181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:905/55  |  提交时间:2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 黄文军 Adobe PDF(3923Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/54  |  提交时间:2018/05/28 Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
| 2μm波段GaSb基量子阱大功率激光器研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 廖永平 Adobe PDF(10313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:774/78  |  提交时间:2017/05/31 |
| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 杜文娜 Adobe PDF(6743Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1039/56  |  提交时间:2016/05/31 Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| 窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李俊斌 Adobe PDF(4822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:945/126  |  提交时间:2016/05/30 Inas/gasb异质结 背景载流子 双载流子霍尔模型 非平衡载流子寿命 时间分辨泵浦–探测反射率测量 光螺旋度依赖的光电流 |
| GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 程雨 Adobe PDF(4151Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:831/45  |  提交时间:2015/05/29 锑化镓(gasb) 化学机械抛光 二次离子质谱(sims) Xps 表面形貌 |