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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cui, Can; Wang, Zhi; Zhan, Xiangkong; Wang, Huiying; Wang, Jian; Liu, Lanlan; Li, Zhiyong; Wu, Chongqing
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huiying Wang ; Zhi Wang ; Hangtian Li ; Xiangkong Zhan ; Can Cui ; Ziling Fu ; Zhiyong Li ; Lanlan Liu ; Chongqing Wu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jian Mi; Huiying Liu; Junren Shi; L. N. Pfeiffer; K. W. West; K. W. Baldwin; Chi Zhang
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| Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者: 阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Liao SZ (Liao Shuzhi); Zhang FS (Zhang Fasheng); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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