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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sui, Xinyu;   Gao, Xiaoqing;   Wu, Xianxin;   Li, Chun;   Yang, Xuekang;   Du, Wenna;   Ding, Zhengping;   Jin, Shengye;   Wu, Kaifeng;   Sum, Tze Chien;   Gao, Peng;   Liu, Junjie;   Wei, Xiaoding;   Zhang, Jun;   Zhang, Qing;   Tang, Zhiyong;   Liu, Xinfeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jian Tang;  Ming Li;  Shuqian Sun;  Zhiyong Li;  Wei Li;  Ninghua Zhu
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Ma ZY (Ma Zhiyong);  Ran JX (Ran Junxue);  Wang CM (Wang Cuimei);  Mao HL (Mao Hongling);  Tang H (Tang Han);  Li HP (Li Hanping);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Jinmin LM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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