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慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 841-844
Authors:  彭成晓;  翁惠民;  杨晓杰;  叶邦角;  周先意;  韩荣典
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一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
Inventors:  王科范;  张华荣;  彭成晓;  曲胜春;  王占国
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硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
Inventors:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
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