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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
语种
英语 [4]
出处
2008 9TH I... [1]
COMMAD 200... [1]
JOURNAL OF... [1]
LIGHT-EMIT... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
AIXTRON AG... [1]
Ansto Sims... [1]
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USA Res Of... [1]
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Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, LC
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Wang, GH
;
Li, JM
;
Wang, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1326/254
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提交时间:2010/03/09
Light-emitting-diodes
Efficiency
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1274/260
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1402/242
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提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1026/0
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提交时间:2010/10/29
Native Oxided Alas
Current Blocking Layer
Algainp
High Brightness Light Emitting Diodes