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Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Zhu HJ;  Li Q;  Ning D;  Wang H;  Wang XD;  Deng YM;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Ding D;  Gong Q;  Zhou W;  Xu B;  Wang ZG;  Sun ZZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Zhou W;  Xu B;  Jiang WH;  Gong Q;  Ding D;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Jiang WH;  Xu B;  Zhou W;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Zhuang QD;  Kong XW;  Wang ZG;  Daniels-Race T;  Li HX,Duke Univ,Dept Elect & Comp Engn,Durham,NC 27708 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Jiang WH;  Xu B;  Zhou W;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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