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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [12]
作者
江德生 [4]
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牛智川 [1]
文献类型
会议论文 [12]
发表日期
2000 [12]
语种
英语 [12]
出处
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文献类型:会议论文
收录类别:CPCI\-S
发表日期:2000
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发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1190/244
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Photoluminescence
Band Offset
Band Bowing Coefficient
Localized Exciton
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Temperature
Gaasn
Spin split cyclotron resonance in GaAs quantum wells
会议论文
PHYSICS AND CHEMISTRY OF NANOSTRUCTURED MATERIALS, HONG KONG, PEOPLES R CHINA, JAN, 1999
作者:
Wu XG
;
Wu XG Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100864 Peoples R China.
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浏览/下载:798/95
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提交时间:2010/10/29
Limit
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1018/178
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Lu LW
;
Zhang YH
;
Xu ZT
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1266/368
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提交时间:2010/11/15
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1016/199
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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浏览/下载:1130/237
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提交时间:2010/11/15
Inas/gaas Quantum Dots
Self-assembled Structure
Dlts
Pl
Band Offset
Energy-levels
Carrier Relaxation
Spectroscopy
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1447/179
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1004/186
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提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang JN Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1289/271
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提交时间:2010/11/15
Superlattices
Gaas/alas
Electric Field Domains
Tunnelling
Oscillations
Self-sustained oscillations caused by magnetic field in a weakly-coupled GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA B, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Sun BQ
;
Wang JN
;
Jiang DS
;
Wu JQ
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1201/228
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提交时间:2010/11/15
Transverse Magnetic Field
Field Domains
Self-sustained Oscillations
Semiconductors