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| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 可充电电池供电的便携式量子级联激光器驱动电源 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘传威; 张锦川; 阎方亮; 刘峰奇; 王占国
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| 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 刘峰奇; 闫方亮; 姚丹阳; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 一种低发散角的面區?射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 谭松; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 卓宁; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国
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| 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 姚丹阳; 张锦川; 闫方亮; 刘俊岐; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 梁平; 刘峰奇; 张锦川; 闫方亮; 胡颖; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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