用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法
梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-10
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-02-22
申请号CN201310057280.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25585
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
梁平,胡颖,刘俊岐,等. 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法.
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