|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
 Adobe PDF(573Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1523/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1450/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏莱; 王守觉; 徐菲菲; 王睿智
Adobe PDF(1304Kb) | 收藏 | 浏览/下载：925/318 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
Adobe PDF(476Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1696/492 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1270/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1287/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1181/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王宝瑞; 孙征; 徐仲英; 孙宝权; 姬扬; Z. M. Wang; G. J. Salamo
Adobe PDF(587Kb) | 收藏 | 浏览/下载：988/276 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王宝瑞; 孙征; 徐仲英; 孙宝权; 姬扬; Z.M.Wang; G.J.Salamo
Adobe PDF(399Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1019/316 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
Adobe PDF(422Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1025/379 | 提交时间：2010/11/23 |
