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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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双环结构微纳生物传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  苏保青;  王春霞;  阚强;  李俊华;  解意洋;  王真真;  陈弘达
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Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  孙苋;  刘文宝;  朱建军;  江德生;  王辉;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱建军;  王海;  史永生
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一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  王辉;  江德生;  杨辉
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GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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基于相位检测的表面等离子体共振传感装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  陈弘达;  李俊华;  阚强;  王春霞;  苏保青;  解意洋;  王真真
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一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘文宝;  孙苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  杨辉
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