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二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Yang XJ;  Chong M;  Yang T;  Chen LH;  Shao J;  Lu X;  Lu W;  Song CY;  Uo HC;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T;  Tatebayashi J;  Nishioka M;  Arakawa Y;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL;  Yang T;  Ji HM;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Cao YL Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T;  Nishioka M;  Arakawa Y;  Yang T Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马文全;  杨晓杰;  种明;  苏艳梅;  杨涛;  陈良惠;  邵军;  吕翔
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