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| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文
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| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王柱; 柯君玉; 李辉; 庞锦标; 戴益群; 赵有文
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周立; 陈涌海 ; 王占国; 赵有文
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张瑞; 张方; 赵有文; 董志远; 杨俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张璠; 赵有文; 董志远; 张瑞; 杨俊
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| 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文; 董志远; 段满龙; 魏学成
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| InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵友文; 段满龙
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