InP单晶锭退火处理方法
赵友文; 段满龙
2007-03-28
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-09-22
语种中文
申请号200510086482
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3581
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵友文,段满龙. InP单晶锭退火处理方法[P]. 2007-03-28.
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