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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Yao B;  Xia JB;  Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou SQ (Zhou Shengqiang);  Wu MF (Wu M. F.);  Yao SD (Yao S. D.);  Zhang BS (Zhang B. S.);  Yang H (Yang H.);  Zhou, SQ, Forschungszentrum Rossendorf EV, POB 51 01 19, D-01314 Dresden, Germany. E-mail: zhousq2000@yahoo.com;  sdyao@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shu Q;  Lin YW;  Xing XD;  Yao JH;  Pi B;  Shu YC;  Wang ZG;  Xu JJ;  Shu, Q, Nankai Univ, Minist Educ, Key Lab Adv Technique & Fabricat Weak Light Ninli, Tianjin 300457, Peoples R China. E-mail: shuyc@anankai.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shu Q;  Shu YC;  Zhang GJ;  Liu RB;  Yao JH;  Pi B;  Xing XD;  Lin YW;  Xu JJ;  Wang ZG;  Shu, YC, Nankai Univ, Minist Educ, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300457, Peoples R China. E-mail: shuyc@nankai.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ;  Yao W;  Zhu B;  Qiu ZJ;  Guo SL;  Lin T;  Cui LJ;  Gui YS;  Chu JH;  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. E-mail: zhouwz@mail.sitp.ac.cn
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