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| 基于微波光子技术的宽谱频率测量研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨成悟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR; Hu M; Wang XD; Li GK; Ji A; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周盛华; 吴南健; 杨志超
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| 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 朱建军; 杨辉; 梁骏吾
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| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩伟华; 杨香; 吴南健
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| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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