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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  阚强;  陈涛;  梁秀琴;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  梁秀琴;  阚强;  陈涛;  陈弘达
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宽带隙半导体纳米材料的制备及物理化学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  孟秀清
Adobe PDF(2211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1092/71  |  提交时间:2010/07/21
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Xiu XQ;  Li Y;  Fu DY;  Lu H;  Chen P;  Han P;  Zheng YD;  Tang CG;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang H;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄秀颀;  刘峰奇
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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InP基应变补偿量子线阵列及其织构纳米衍射光栅研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  黄秀颀
Adobe PDF(3557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/23  |  提交时间:2009/04/13
一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
Adobe PDF(718Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1335/210  |  提交时间:2009/06/11