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中国科学院半导体研究所机构知识库
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发表日期:2006
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
沈文娟
;
曾一平
;
王启元
;
王俊
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浏览/下载:1107/180
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提交时间:2009/06/11
利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
沈文娟
;
曾一平
;
王俊
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浏览/下载:917/166
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
沈文娟
;
曾一平
;
王启元
;
王俊
Adobe PDF(344Kb)
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浏览/下载:1123/178
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提交时间:2009/06/11
MOCVD ZnO 外延材料制备及性能研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
沈文娟
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浏览/下载:853/23
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提交时间:2009/04/13
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
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期刊论文
作者:
Song L (Song Li)
;
Ci LJ (Ci Lijie)
;
Jin CH (Jin Chuanhong)
;
Tan PH (Tan Pingheng)
;
Sun LF (Sun Lianfeng)
;
Ma WJ (Ma Wenjun)
;
Liu LF (Liu Lifeng)
;
Liu DF (Liu Dongfang)
;
Zhang ZX (Zhang Zengxing)
;
Xiang YJ (Xiang Yanjuan)
;
Luo SD (Luo Shudong)
;
Zhao XW (Zhao Xiaowei)
;
Shen J (Shen Jun)
;
Zhou JJ (Zhou Jianjun)
;
Zhou WY (Zhou Weiya)
;
Xie SS (Xie Sishen)
;
Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shen WJ
;
Wang J
;
Wang QY
;
Duan Y
;
Zeng YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wjshen@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11