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采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  唐龙娟;  杨晋玲;  解婧;  李艳;  杨富华
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大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  杨晋玲;  解婧;  刘云飞;  杨富华
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