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采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐龙娟;  杨晋玲;  解婧;  李艳;  杨富华
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