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A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-μA threshold current and 80-mV SET voltage 期刊论文
Applied Physics A: Materials Science and Processing, 2013, 卷号: 110, 期号: 1, 页码: 173-177
Authors:  Yingchun Fu, Xiaofeng Wang, Jiayong Zhang, Xiaodong Wang, Chun Chang, Huili Ma, Kaifang Cheng, Xiaogang Chen, Zhitang Song, Songlin Feng, An Ji, Fuhua Yang
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A Self-Aligned Process to Fabricate a Metal Electrode-Quantum Dot/Nanowire-Metal Electrode Structure with 100% Yield 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 098102
Authors:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(847Kb)  |  Favorite  |  View/Download:449/94  |  Submit date:2014/12/25
环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(1094Kb)  |  Favorite  |  View/Download:433/86  |  Submit date:2014/11/17
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  季安;  杨富华
Adobe PDF(767Kb)  |  Favorite  |  View/Download:326/96  |  Submit date:2014/10/31
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(847Kb)  |  Favorite  |  View/Download:327/80  |  Submit date:2014/12/25
基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
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一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
Inventors:  付英春;  王晓峰;  季安;  杨富华
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