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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LX (Wang, Lanxiang);  Su SJ (Su, Shaojian);  Wang W (Wang, Wei);  Yang Y (Yang, Yue);  Tong Y (Tong, Yi);  Liu B (Liu, Bin);  Guo PF (Guo, Pengfei);  Gong X (Gong, Xiao);  Zhang GZ (Zhang, Guangze);  Xue CL (Xue, Chunlai);  Cheng BW (Cheng, Buwen);  Han GQ (Han, Genquan);  Yeo YC (Yeo, Yee-Chia)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, Weixuan;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Su, Shaojian;  Liu, Zhi;  Li, Yaming;  Wang, Qiming;  Cheng, B.(cbw@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Chen CC;  Yang C;  Wang JZ;  Shi LQ;  Cheng HS;  Zhao DG;  Zhang, B, Fudan Univ, Inst Modern Phys, Appl Ion Beam Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail Address: binzhang@fudan.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J (Zheng J.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Zhang LZ (Zhang L. Z.);  Wang W (Wang W.);  Xue CL (Xue C. L.);  Cheng BW (Cheng B. W.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Guo HQ (Guo H. Q.);  Wang QM (Wang Q. M.)
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵红卫;  胡炜玄;  成步文;  王启明
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  白安琪;  成步文;  左玉华;  王启明
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共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马志华;  左玉华;  薛春来;  成步文;  王启明;  郑世雄
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1347/110  |  提交时间：2011/08/30