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第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458
Authors:  邢海英;  范广涵;  章勇;  赵德刚
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UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
Authors:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
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Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6513-6519
Authors:  邢海英;  范广涵;  赵德刚;  何苗;  章勇;  周天明
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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 479-482
Authors:  张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
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掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 期刊论文
发光学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 647-650
Authors:  陈维德;  陈长勇;  卞留芳
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掺稀土富硅氧化硅发光特性与机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  陈长勇
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掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 736-739
Authors:  陈长勇;  陈维德;  王永谦;  宋淑芳;  许振嘉
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掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Authors:  宋淑芳;  周生强;  陈维德;  朱建军;  陈长勇;  许振嘉
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注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 930-934
Authors:  陈长勇;  陈维德;  王永谦;  宋淑芳;  许振嘉;  郭少令
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掺铒GaN薄膜光致发光的研究 期刊论文
中国稀土学报, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 535-539
Authors:  宋淑芳;  陈维德;  陈长勇;  许振嘉
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