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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-27, 2013-03-27
发明人: 谢海忠; 卢鹏志; 耿雪妮; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 激光钻孔切割异形发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人: 谢海忠; 于飞; 鲁志远; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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