中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1876/730  |  提交时间：2012/07/17
发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1427/231  |  提交时间：2012/09/09
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1396/234  |  提交时间：2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1928/355  |  提交时间：2012/09/09
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1929/302  |  提交时间：2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1471/259  |  提交时间：2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1601/306  |  提交时间：2012/09/09
自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1581/285  |  提交时间：2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1912/350  |  提交时间：2012/09/09
发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1564/274  |  提交时间：2012/09/09