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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽
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| 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
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| 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 董鹏; 闫建昌; 王军喜; 孙莉莉; 曾建平; 丛培沛; 李晋闽
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| 一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
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| 紫外共振腔发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人: 曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
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