SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-10
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-04-07
申请号CN201310118141.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25583
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曾建平,闫建昌,王军喜,等. 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法.
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管(1057KB) 限制开放使用许可请求全文
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