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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang DS;  Tan PH;  Lu SL;  Sun BQ;  Li LH;  Harmand, JC;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@pdi-berlin.de
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