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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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量子点光调制器有源区结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 3992
发明人:  梁志梅;  金 鹏;  王占国
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提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  金灿;  金鹏;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
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长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  金鹏;  王占国
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宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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