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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
LED可靠性技术与测试方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  赵璐冰
Adobe PDF(1916Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1161/60  |  提交时间：2014/06/09