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JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Nie JP;  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Li GH;  Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Silicon  
High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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Gallium Nitride  Gas Source Molecular Beam Epitaxy  Hydrogen  Autodoping  Films