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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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