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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 谢海忠; 伊晓燕; 王国宏
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| 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人: 汪炼成; 马骏; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 汪炼成; 马骏; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 程滟; 詹腾; 郭金霞; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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