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| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
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| 双新月对结构的化学传感系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102175705A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王宇飞; 晏新宇; 付非亚; 刘安金; 周文君; 陈微; 郑婉华
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| 一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华
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| 一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华
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