SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张曙光;  张兴旺;  尹志岗;  董敬敬;  游经碧
Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1534/244  |  提交时间:2012/09/09