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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1593/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 蓝宝石图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 段瑞飞; 季安; 伊晓燕; 王莉; 樊中朝; 郭金霞; 潘岭峰; 黄亚军; 赵冀; 李镇 Adobe PDF(1025Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:839/96  |  提交时间:2014/11/17 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:712/100  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:769/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:704/114  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:595/75  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 谢海忠; 纪攀峰; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:654/72  |  提交时间:2014/11/24 |