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选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 609
Authors:  刘国利;  王圩;  张佰君;  许国阳;  陈娓兮;  叶小玲;  张静媛;  汪孝杰;  朱洪亮
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 564
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313
Authors:  Cheng BW(成步文);  Li DZ(李代宗);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春晖);  Yu Z(于卓);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明)
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
Authors:  成步文;  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  张春晖;  王玉田;  余金中;  王启明
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质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 245
Authors:  刘国利;  张佰君;  朱洪亮;  张静媛;  汪孝杰;  王圩
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