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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:  Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  Pan X (Pan Xu);  Wei M (Wei Meng);  Yang CB (Yang Cuibai);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XL (Wang Xiaoliang)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF;  Lu J;  Chen L;  Yan SA;  Meng HJ;  Pan GQ;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, S.L.;  Meng, K.K.;  Chen, L.;  Xu, P.F.;  Meng, H.J.;  Lu, J.;  Zhao, J.H.;  Zhao, J.H.(jhzhao@red.semi.ac.cn)
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