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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XP;  Yang XH;  Han Q;  Ju YL;  Du Y;  Zhu B;  Wang J;  Ni HQ;  He JF;  Wang GW;  Niu ZC;  Wang, XP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. xpwang@semi.ac.cn
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一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人:  王国伟;  汤宝;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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