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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
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魏宏源
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张攀峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
变温霍尔实验仪
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于耀川
;
徐寿定
;
范东华
;
胡长有
;
周仁楷
;
李瑞云
;
李平江
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浏览/下载:1143/145
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提交时间:2009/06/11
一种铁电晶体材料的极化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
范学东
;
马传龙
;
王海玲
;
王宇飞
;
马绍栋
;
郑婉华
Adobe PDF(327Kb)
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浏览/下载:1372/308
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提交时间:2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
渠红伟
;
彭红玲
;
王海玲
;
马绍栋
Adobe PDF(574Kb)
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浏览/下载:1207/324
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提交时间:2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
范学东
;
马传龙
;
马绍栋
;
齐爱谊
Adobe PDF(392Kb)
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浏览/下载:1185/304
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提交时间:2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
马绍栋
;
齐爱谊
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浏览/下载:1363/250
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提交时间:2012/09/09
一种复合膜片压力传感器结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓东
;
樊中朝
;
季安
;
邢波
;
杨富华
Adobe PDF(289Kb)
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提交时间:2011/08/31