中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1058/244  |  提交时间：2010/11/15
Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam