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不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李德尧;  张书明;  杨辉;  梁俊吾
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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1156/177  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XL (Wang, X. L.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Jahn, U (Jahn, U.);  Ploog, K (Ploog, K.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, H.);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(1606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1013/248  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CY;  Li FH;  Wang R;  Zou J;  Zheng XH;  Liang JW;  Li, FH, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: lifh@aphy.iphy.ac.cn
Adobe PDF(1155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：930/279  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Liang, JW;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(97Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：992/318  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiao-Lan);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Jun-Wu);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：709/245  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Yang H;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/342  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Jahn U;  Ploog K;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(645Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1141/273  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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